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MAX6001EUR-T	文件：195.94 Kbytes Page：12 Pages	Low-Cost, Low-Power, Low-Dropout, SOT23-3 Voltage References GeneralDescription TheMAX6001–MAX6005familyofSOT23,low-costseriesvoltagereferencesmeetsthecostadvantageofshuntreferencesandoffersthepower-savingadvantageofseriesreferences,whichtraditionallycostmore.Unlikeconventionalshunt-mode(two-terminal)referencesthatmustbe	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6001EUR-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）电压基准描述：IC VREF SERIES 1% SOT23-3	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MBI6001	文件：197.1 Kbytes Page：6 Pages	TRANSFORMERLESSAC/DCCONSTANTCURRENTDRIVER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MCH6001	文件：256.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistorHighFrequencyLow-NoiseAmplifier NPNEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistor Features •Low-noiseuse:NF=1.2dBtyp(f=1GHz). •Highcut-offfrequency:fT=16GHztyp(VCE=5V). •Highgain:\|S21e\|2=16dBtyp(f=1GHz). •Compositetypewith2RFtransistorMCH4020inonepackagefacilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6001	文件：492.82 Kbytes Page：6 Pages	RFTransistor8V,150mA,fT=16GHzNPNDualMCPH6 RFTransistor 8V,150mA,fT=16GHzNPNDualMCPH6 Features •Low-noiseuse:NF=1.2dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=16GHztyp(VCE=5V) •Highgain:\|S21e\|2=16dBtyp(f=1GHz) •Compositetypewith2RFtransistorMCH4020inonepackagefacilitatinghigh-densitymounting	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6001-TL-E	文件：492.82 Kbytes Page：6 Pages	RFTransistor8V,150mA,fT=16GHzNPNDualMCPH6 RFTransistor 8V,150mA,fT=16GHzNPNDualMCPH6 Features •Low-noiseuse:NF=1.2dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=16GHztyp(VCE=5V) •Highgain:\|S21e\|2=16dBtyp(f=1GHz) •Compositetypewith2RFtransistorMCH4020inonepackagefacilitatinghigh-densitymounting	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCP6001	文件：553.83 Kbytes Page：24 Pages	1MHzBandwidthLowPowerOpAmp Description TheMicrochipTechnologyInc.MCP6001/2/4familyofoperationalamplifiers(opamps)isspecificallydesignedforgeneral-purposeapplications.Thisfamilyhasa1MHzGainBandwidthProduct(GBWP)and90°phasemargin(typ.).Italsomaintains45°phasemargin(typ.)witha500pFca	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP6001	文件：470.74 Kbytes Page：28 Pages	1MHz,Low-PowerOpAmp	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP6001E	文件：553.83 Kbytes Page：24 Pages	1MHzBandwidthLowPowerOpAmp Description TheMicrochipTechnologyInc.MCP6001/2/4familyofoperationalamplifiers(opamps)isspecificallydesignedforgeneral-purposeapplications.Thisfamilyhasa1MHzGainBandwidthProduct(GBWP)and90°phasemargin(typ.).Italsomaintains45°phasemargin(typ.)witha500pFca	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP6001-E/LT	文件：470.74 Kbytes Page：28 Pages	1MHz,Low-PowerOpAmp	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

产品属性

产品编号：
MAX6001EUR-T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
卷带（TR）
参考类型：
系列
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
1.25V
容差：
±1%
温度系数：
100ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
25µVp-p
噪声 - 10Hz 至 10Hz：
65µVrms
电压 - 输入：
2.5V ~ 12.6V
电流 - 供电：
45µA
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
IC VREF SERIES 1% SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MAX6001EUR-T供应商更新时间2025-7-10 18:27:00

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