| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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SIPMOSSmall-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS짰Small-Signal-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
P-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SIPMOS짰Small-Signal-Transistor Features .P-Channel •Enhancementmode •Normallevel •Avalancherated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant *QualifiedaccordingtoAECQ101 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS짰Small-Signal-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS짰Small-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS짰Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS짰Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
P-ChEnhancementModePowerMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable - | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
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龙腾 |
TO-247 |
21000 |
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