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SPP15P10PLG	文件：416.71 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：416.71 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10PLGHKSA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-CH 100V 15A TO-220	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10PLH	文件：767.39 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：767.39 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SSD15P10	文件：641.2 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：641.2 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
V15P10	文件：106.45 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - 文件：106.45 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
200 毫欧 @ 11.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2V @ 1.54mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
62nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
1490pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
128W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO220-3
封装/外壳：
TO-220-3

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更多SPP15P10PLG供应商更新时间2025-10-10 10:11:00

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