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SPP15P10P	文件：83.22 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15P10P	文件：640.2 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15P10P	文件：334.75 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP15P10PG	文件：737.59 Kbytes Page：10 Pages	Marking：15P10P；Package：PG-TO220-3；SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features .P-Channel •Enhancementmode •Normallevel •Avalancherated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant *QualifiedaccordingtoAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15P10P_09	文件：640.2 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15P10PG	文件：640.2 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15P10PH	文件：829.79 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15P10PLG	文件：416.71 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15P10PLH	文件：767.39 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SSD15P10	文件：641.2 Kbytes Page：4 Pages	P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
SPP15P10P
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SIPMOS®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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