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SPP15P10P	文件：83.22 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：83.22 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10P	文件：640.2 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：640.2 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10P	文件：334.75 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor 文件：334.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPP15P10PG	文件：737.59 Kbytes Page：10 Pages	丝印：15P10P；Package：PG-TO220-3；SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features .P-Channel • Enhancement mode • Normal level • Avalanche rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant *Qualified according to AEC Q101 文件：737.59 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10P_09	文件：640.2 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：640.2 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10PG	文件：640.2 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：640.2 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10PH	文件：829.79 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor 文件：829.79 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10PLG	文件：416.71 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：416.71 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10PLH	文件：767.39 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：767.39 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15P10P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Coss：
272 pF
ID (@25°C) max：
-15 A
IDpulsmax：
-60 A
Ptotmax：
128 W
QG(typ @10V)：
47 nC
RDS (on)(@10V) max：
200 mΩ
Rth：
1.17 K/W
VDSmax：
-100 V
VGS(th)：
-1.5 V
Package：
TO-220
Operating Temperaturemax：
175 °C
Operating Temperaturemin：
-55 °C
Polarity：
P
Budgetary Price €/1k：
0.53

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPP15P10P供应商更新时间2025-10-9 15:30:00

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