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MOSFET–P-Channel,POWERTRENCH GeneralDescription ThisP−ChannelMOSFETisproducedusingonsemi’sadvanced POWERTRENCHtechnology.Thisveryhighdensityprocessis especiallytailoredtominimizeon−stateresistanceandoptimizedfor superiorswitchingperformance. Features •MaxrDS(on)=307matVGS=−10V,ID= | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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