LM5165-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

LM5165-Q1 器件是一款易于使用的紧凑型 3V 至 65V、超低 IQ 同步降压转换器，可在宽输入电压和负载电流范围内提供高效率。该器件具有集成式高侧和低侧功率 MOSFET，能够以 3.3V 或 5V 的固定输出电压或可调输出电压提供高达 150mA 的输出电流。该转换器设计旨在简化实现方案，同时优化目标应用的性能。脉频调制 (PFM) 模式可确保在轻负载条件下获得最优效率，恒定导通时间 (COT) 控制可实现近似恒定的工作频率。这两种控制方案都不需要环路补偿，同时还能够针对较高的降压转换比实现出色的线路和负载瞬态响应以及短暂的脉宽调制 (PWM) 导通时间。

高侧 P 沟道 MOSFET 能够以 100% 占空比工作以确保最低压差电压，而且不需要使用自举电容器进行栅极驱动。另外，还可以调节电流限制设定值来优化电感器选择，从而满足特定的输出电流要求。可选和可调节启动时序选项包括最短延迟（无软启动）、内部固定值 (900µs) 以及可使用电容器进行外部编程的软启动。可以使用开漏 PGOOD 指示器进行定序、故障报告和输出电压监视。LM5165-Q1 符合汽车 AEC-Q100 1 级标准，并且采用引脚间距为 0.5mm 的 10 引脚 VSON 和 VSSOP 封装。

特性 Features

• 符合 AEC-Q100 的汽车标准 应用
• 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境温度范围
• 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
• 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C5

• 3V 至 65V 宽输入电压范围
• 10.5µA 空载静态电流
• –40°C 至 150°C 结温范围
• 固定（3.3V、5V）或可调节输出电压
• 符合 EN55022/CISPR 22 EMI 标准
• 集成 2Ω P 型金属氧化物半导体 (PMOS) 降压开关
• 支持 100% 占空比，可实现低压降

• 集成 1Ω N 型金属氧化物半导体 (NMOS) 同步整流器
• 无需使用外部整流二极管

• 可编程的电流限制设定值（4 级）
• 可选 PFM 或 COT 模式工作
• 1.223V ±1% 内部电压基准
• 900µs 内部或可编程软启动
• 用于实现较低 EMI 的有效转换率控制
• 单调启动至预偏置输出
• 无环路补偿或自举升压组件
• 具有迟滞功能的精密使能和输入 UVLO
• 具有迟滞功能的热关断保护
• 10 引脚 VSON 和 VSSOP 封装
• 使用 WEBENCH® 电源设计器创建定制稳压器设计