LM5113-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计，适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压多高，它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。

此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力，使栅极保持低电平，从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装，可改善功耗。

特性 Features

• 符合汽车应用 标准
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
• 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
• 器件 HBM ESD 分类等级 1C
• 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6

• 独立的高侧和低侧TTL 逻辑输入
• 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力
• 高侧浮动偏置电压轨工作电压高达 100VDC
• 内部自举电源电压钳位
• 分离输出实现可调的开通和关断应力
• 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻
• 快速传播时间（典型值为 28ns）
• 优异的传播延迟（典型值为 1.5ns)
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗