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MJD127	文件：373.76 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPepitaxialplanerTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD127	文件：205.51 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS HammerDrivers,AudioAmplifiersApplications PowerLinearandSwitchingApplications	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD127	文件：1.541 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP127 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD127	文件：408.73 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD127	文件：357.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPepitaxialplanerTransistors Features •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD127	文件：317.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：2.18315 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) Feature ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP127 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MJD127	文件：246.8 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Leadformedforsurfacemountapplications •HighDCcurrentgain •100tested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspee	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：56.54 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD127	文件：360.31 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconDarlingtonTransistor FEATURES •HighDCCurrentGain •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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产品属性

产品编号：
LCB127STR
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
继电器 > 固态继电器
系列：
LCB, OptoMOS®
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
电路：
SPST-NC（1 Form B）
输出类型：
AC，DC
电压 - 输入：
1.2VDC
端接样式：
鸥翼
封装/外壳：
6-SMD（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
6-SMD
描述：
SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-250V

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