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MAX127BEAI	文件：124.61 Kbytes Page：16 Pages	Multirange,5V,12-BitDASwith2-WireSerialInterface GeneralDescription TheMAX127/MAX128aremultirange,12-bitdataacquisitionsystems(DAS)thatrequireonlyasingle+5Vsupplyforoperation,yetacceptsignalsattheiranaloginputsthatmayspanabovethepower-supplyrailandbelowground.Thesesystemsprovideeightanaloginputchannels	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX127BENG	文件：124.61 Kbytes Page：16 Pages	Multirange,5V,12-BitDASwith2-WireSerialInterface GeneralDescription TheMAX127/MAX128aremultirange,12-bitdataacquisitionsystems(DAS)thatrequireonlyasingle+5Vsupplyforoperation,yetacceptsignalsattheiranaloginputsthatmayspanabovethepower-supplyrailandbelowground.Thesesystemsprovideeightanaloginputchannels	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MD127	文件：230.27 Kbytes Page：10 Pages	Low-saturation,Low-voltage2ChannelsBi-directionalMotorDriver	SITI Silicon Touch Technology Inc.	SITI
MJD127	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127	文件：194.72 Kbytes Page：3 Pages	PNP(D-PACKFORSURFACEMOUNTAPPLICATIONS) D▪PACKFORSURFACEMOUNTAPPLICATIONS •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LoadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StrightLead(I•PACK,-1Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJD127	文件：81.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD127	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Features •D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications •ElectricallySimilartoPopularTIP122 •ComplementtoMJD127	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) •LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) •Sur	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJD127	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127	文件：137.52 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Features •D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications •ElectricallySimilartoPopularTIP122 •ComplementtoMJD127	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
LCB127STR
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
继电器 > 固态继电器
系列：
LCB, OptoMOS®
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
电路：
SPST-NC（1 Form B）
输出类型：
AC，DC
电压 - 输入：
1.2VDC
端接样式：
鸥翼
封装/外壳：
6-SMD（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
6-SMD
描述：
SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-250V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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