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MJD127	文件：357.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPepitaxialplanerTransistors Features •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD127	文件：317.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：2.18315 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) Feature ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP127 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MJD127	文件：246.8 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Leadformedforsurfacemountapplications •HighDCcurrentgain •100tested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspee	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：56.54 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD127	文件：360.31 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconDarlingtonTransistor FEATURES •HighDCCurrentGain •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD127	文件：2.32459 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCCurrentGain ElectricallySimilartoPopularTIP127 Built-inaDamperDiodeatE-C	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJD127	文件：300.34 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：281.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：69.15 Kbytes Page：4 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	SYC SYC Electronica	SYC

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产品属性

产品编号：
LCA127STR
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
继电器 > 固态继电器
系列：
LCA, OptoMOS®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
电路：
SPST-NO（1 Form A）
输出类型：
AC，DC
电压 - 输入：
1.2VDC
端接样式：
鸥翼
封装/外壳：
6-SMD（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
6-SMD
描述：
SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-250V

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