L6391集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
L6391 |
参数属性 | L6391 封装/外壳为14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO |
功能描述 | High-voltage high and low side driver |
封装外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
文件大小 |
559.94 Kbytes |
页面数量 |
21 页 |
生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
中文名称 | 意法半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-11 12:11:00 |
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L6391规格书详情
L6391属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由意法半导体集团制造生产的L6391栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
描述 Description
The L6391 is a high-voltage device manufactured with the BCD “OFF-LINE” technology. It is a single chip half-bridge gate driver for N-channel power MOSFET or IGBT.The high-side (floating) section is designed to stand a voltage rail up to 600 V. The logic inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3 V for easy interfacing microcontroller/DSP. An integrated comparator is available for
protections against overcurrent, overtemperature, etc.
特性 Features
• High voltage rail up to 600 V
• dV/dt immunity ± 50 V/nsec in full temperature range
• Driver current capability:
– 290 mA source
– 430 mA sink
• Switching times 75/35 nsec rise/fall with 1 nF load
• 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis
• Integrated bootstrap diode
• Comparator for fault protections
• Smart shutdown function
• Adjustable deadtime
• Interlocking function
• Compact and simplified layout
• Bill of material reduction
• Effective fault protection
• Flexible, easy and fast design
产品属性
更多- 产品编号:
L6391DTR
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
12.5V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.1V,1.9V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
290mA,430mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
75ns,35ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
14-SO
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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