L6387D集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
L6387D |
| 参数属性 | L6387D 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
| 功能描述 | HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
133.22 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 17:19:00 |
| 人工找货 | L6387D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
L6387D规格书详情
L6387D属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由意法半导体集团制造生产的L6387D栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
DESCRIPTION
The L6387 is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has a Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The Upper (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.
HIGH VOLTAGE RAIL UP TO 600 V
dV/dt IMMUNITY +- 50 V/nsec IN FULL TEMPERATURE RANGE
DRIVER CURRENT CAPABILITY: 400 mA SOURCE, 650 mA SINK
SWITCHING TIMES 50/30 nsec RISE/FALL WITH 1nF LOAD
CMOS/TTL SCHMITT TRIGGER INPUTS WITH HYSTERESIS AND PULL DOWN
INTERNAL BOOTSTRAP DIODE
OUTPUTS IN PHASE WITH INPUTS
产品属性
更多- 产品编号：
L6387D
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
17V（最大）
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
400mA，650mA
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
50ns，30ns
- 工作温度：
-45°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2026+ |
SOIC8 |
9269 |
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ST |
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ST |
22+ |
SOP8 |
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ST |
23+ |
SOP-8 |
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ST(意法) |
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ST |
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ST |
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ST |
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