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MRF136	文件：340.21 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSBROADBANDRFPOWERFET TheRFMOSFETLineRFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeMOSFETs Designedforwidebandlarge–signalamplifierandoscillatorapplicationsupto400MHzrange,insingleendedconfiguration. •Guaranteed28Volt,150MHzPerformanceOutputPower=15WattsNarrowbandGain=	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MRF136	文件：21.05 Kbytes Page：1 Pages	RFPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF136isaN-ChannelEnhancementMOSFET,DesignedforWidebandLargeSignalAmplifierApplicationsupto400MHz.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF136	文件：80.1 Kbytes Page：2 Pages	RFPowerField-EffectTransistors TheRFTMOSLineRFPowerField-EffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeTMOS ...designedforwidebandlarge–signalamplifierandoscillatorapplicationsupto400MHzrange,ineithersingleendedorpush–pullconfiguration. •Guaranteed28Volt,150MHzPerformance MRF136	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF136	文件：604.32 Kbytes Page：12 Pages	TheRFMOSFETLine	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF136Y	文件：221.24 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSBROADBANDRFPOWERFET TheRFMOSFETLine RFPower Field-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeMOSFET Designedforwidebandlarge–signalamplifierandoscillatorapplicationsupto400MHzrange,ineithersingleendedorpush–pullconfiguration. •Guaranteed28Volt,150MHzPerformance OutputPower=	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MRF136Y	文件：412.47 Kbytes Page：10 Pages	TheRFMOSFETLine30W,to400MHz,28V TheRFMOSFETLine30W,to400MHz,28V DesignedforwidebandlargesignalamplifierandoscillatorapplicationsUpto400MHzrange,ineithersingle-endedorpush-pullconfiguration. N–Channelenhancementmode •Guaranteed28volt,150MHzperformance Outputpower=30Watts Broadband	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF136Y	文件：412.47 Kbytes Page：10 Pages	TheRFMOSFETLine	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF136Y	文件：80.1 Kbytes Page：2 Pages	RFPowerField-EffectTransistors TheRFTMOSLineRFPowerField-EffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeTMOS ...designedforwidebandlarge–signalamplifierandoscillatorapplicationsupto400MHzrange,ineithersingleendedorpush–pullconfiguration. •Guaranteed28Volt,150MHzPerformance MRF136	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MS-136	文件：110.77 Kbytes Page：3 Pages	CoaxialSwitches ■Features 1.SimplificationofInternalOutputChecks Thehighfrequencysignalcanbesimplyswitchedbycouplingoruncoupling. 2.Small,LightweightDesign Switchesaresmallandlightweightwithaheightof3.6mm,lengthof11.5mm,widthof4.6mm,andweightof0.5g. 3.Suitedt	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
MS136-A	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	LEDSINGLEDIGITDISPLAY LEDSINGLEDIGITDISPLAY SEVENSEGMENTNUMERICDISPLASYS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
KTY136
制造商：
Infineon Technologies
类别：
传感器，变送器 > 温度传感器 - PTC 热敏电阻
包装：
散装
电阻容差：
±3%
工作温度：
-50°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
THERMISTOR PTC 2K OHM 3% SOT23-3

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