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KSH41C-252	文件：277.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A APPLICATIONS · General purpose amplifier · Low speed switching applications 文件：277.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD41C-252	文件：278.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A ·Complement to Type MJD42C APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications 文件：278.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多KSH41C-252供应商更新时间2026-1-26 10:11:00