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MJD3055	文件：91.77 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD3055	文件：44.86 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE3055T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain-	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD3055	文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD3055	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD3055	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD3055	文件：80.34 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD3055	文件：265.67 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeMJD2955 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD3055	文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD3055	文件：1.45845 Mbytes Page：3 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJE3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10A	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD3055	文件：2.49044 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES DesignedforGeneralPurposeAmplifierdanLowSpeed SwitchingApplications ElectricallySimiartoMJE3055 DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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更多KSH3055TF.供应商更新时间2024-3-26 15:06:00

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