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MJD3055中文资料PDF规格书

MJD3055
厂商型号

MJD3055

参数属性

MJD3055 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK

功能描述

TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

文件大小

2.49044 Mbytes

页面数量

5

生产厂商 Nanjing International Group Co
企业简称

DGNJDZ南晶电子

中文名称

东莞市南晶电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 22:30:00

晶体管资料

  • 型号:

    MJD3055

  • 别名:

    MJD3055三极管、MJD3055晶体管、MJD3055晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-127

  • vtest:

    0

  • htest:

    4000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    20

MJD3055规格书详情

FEATURES

Designed for General Purpose Amplifier da nLow Speed

Switching Applications

Electrically Simiar to MJE3055

DC Current Gain Specified to10 Amperes

产品属性

  • 产品编号:

    MJD3055

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 10A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2020+
SOT252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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20+
TO251
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SOT-252
100000
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13261
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MJD3055
75
75
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