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MJE3055	文件：36.92 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeandSwitchingApplications GeneralPurposeandSwitchingApplications •DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A •HighCurrentGain-BandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE3055	文件：55.44 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:10A Collector-basevoltage V(BR)CBO:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MJE3055	文件：133.75 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulatePowerTransistors Plastic-EncapsulatePowerTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MJE3055	文件：241.59 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·HighDCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=4A ·ComplementtoTypeMJE2955 APPLICATIONS ·Designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE3055	文件：246.08 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof2.0WattsofPowerDissipation. •Collector-current10A •Collector-baseVoltage70V •Operatingandst	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJE3055	文件：1.41214 Mbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeandSwitchingApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJE3055	文件：125.54 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:10A Collector-basevoltage V(BR)CBO:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MJE3055	文件：1.37433 Mbytes Page：4 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES GeneralPurposeandSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJE3055A	文件：195.88 Kbytes Page：3 Pages	ComplementarySiliconpowertransistors(10A/60V/75W) DESCRIPTION TheMJE3055Aisasiliconepitaxial-baseplanarNPNtransistorinTO-220ABpackage. ltisintendedforuseingeneral-purposeamplifierandswitdingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955A. FEATURES ●Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications.	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
MJE3055AT	文件：147.82 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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