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MJD3055	文件：147.11 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •Strai	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD3055	文件：91.77 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD3055	文件：44.86 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE3055T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain-	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD3055	文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD3055	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD3055	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD3055	文件：80.34 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD3055	文件：265.67 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeMJD2955 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD3055	文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD3055	文件：1.45845 Mbytes Page：3 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJE3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10A	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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详细参数

型号：
KSH3055-I
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	KSH3055-I	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	KSH3055ITU	FAIRCHILD/仙童	TO-251	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	KSH3055ITU	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-251	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	KSH3055ITU	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-251	6000	原装正品，支持实单	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	KSH3055ITU	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-251	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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