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MJD3055分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD3055
厂商型号

MJD3055

参数属性

MJD3055 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK

功能描述

Complementary Power Transistors
TRANS NPN 60V 10A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

147.11 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 11:08:00

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MJD3055规格书详情

MJD3055属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJD3055晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

MJD2955 (PNP)

MJD3055 (NPN)

SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS, 20 WATTS

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

特性 Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)

• Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055

• DC Current Gain Specified to 10 Amperes

• High Current Gain−Bandwidth Product − fT = 2.0 MHz (Min) @ IC

= 500 mAdc

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B  8000 V

Machine Model, C  400 V

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJD3055

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 10A DPAK

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