KSC5502D中文资料NPN型三重扩散平面硅晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
KSC5502D |
参数属性 | KSC5502D 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 600V 2A TO220-3 |
功能描述 | NPN型三重扩散平面硅晶体管 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 15:24:00 |
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KSC5502D规格书详情
特性 Features
•广泛的安全工作区
•内置续流二极管
•适合电子镇流器应用
•存储时间方面的差异小
•两个封装选项:D-PAK 或 TO-220
•高压电源开关
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSC5502D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSC5502D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:KSC5502D
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.5
- IC Cont. (A)
:2
- VCEO Min (V)
:600
- VCBO (V)
:1200
- VEBO (V)
:12
- VBE(sat) (V)
:1.2
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:12
- hFE Max
:30
- fT Min (MHz)
:11
- PTM Max (W)
:87.83
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252-3 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
TI |
22+ |
原厂原封 |
25000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252-3L |
30000 |
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ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
TO-252-3L |
105000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252-3L |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |