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KSC5305D数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

KSC5305D

参数属性

KSC5305D 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 5A TO220-3

功能描述

NPN Silicon Transistor
TRANS NPN 400V 5A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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KSC5305D规格书详情

特性 Features

•内置续流二极管使反饱和运行更加高效
•适合半桥照明整流器应用
•无需关注hFE值,因为即便该产品并非公司主要产品也具有低可变存储时间扩展
•低基极驱动要求
•高压高速功率开关

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSC5305D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSC5305D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSC5305D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 2A

  • IC Cont. (A)

    :5

  • VCEO Min (V)

    :400

  • VCBO (V)

    :800

  • VEBO (V)

    :12

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 2A

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 2A

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :75

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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