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OPA2333-HT	文件：520.35 Kbytes Page：23 Pages	1.8-VMICROPOWERCMOSOPERATIONALAMPLIFIERZERO-DRIFTSERIES	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2333P	文件：1.28915 Mbytes Page：26 Pages	1.8-V,microPower,CMOSOperationalAmplifier,Zero-Drift	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2333PIDSGR	文件：1.28915 Mbytes Page：26 Pages	1.8-V,microPower,CMOSOperationalAmplifier,Zero-Drift	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2333PIDSGT	文件：1.28915 Mbytes Page：26 Pages	1.8-V,microPower,CMOSOperationalAmplifier,Zero-Drift	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2333SHKJ	文件：520.35 Kbytes Page：23 Pages	1.8-VMICROPOWERCMOSOPERATIONALAMPLIFIERZERO-DRIFTSERIES	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2333SHKQ	文件：520.35 Kbytes Page：23 Pages	1.8-VMICROPOWERCMOSOPERATIONALAMPLIFIERZERO-DRIFTSERIES	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2333SJD	文件：520.35 Kbytes Page：23 Pages	1.8-VMICROPOWERCMOSOPERATIONALAMPLIFIERZERO-DRIFTSERIES	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PJM2333PSA	文件：2.05177 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
PJM2333PSC	文件：1.53994 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
PMB2333	文件：1.13165 Mbytes Page：69 Pages	ICsforCommunications Overview FunctionalDescription,Benefits •NewB6HFbipolartechnology,25GHzfT •SmalloutlineP-TSSOP16package •Reducedexternalcomponents •Frequencyrangeupto3.0GHz •AmplifiermaybeusedasLNAorDriver •LNAmode •1.7dBtyp.noisefigureat1.8GHz •5mAtyp.curren	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
RF2333	文件：84.83 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2333isageneralpurpose,low-costRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2333PCBA	文件：84.83 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2333isageneralpurpose,low-costRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SA2333	文件：205.31 Kbytes Page：4 Pages	ChipLED	AUK AUK	AUK
SAM2333	文件：54.1 Kbytes Page：3 Pages	DualChipLEDLamp Features •Colorlessdiffusionlenstype •Compacttype •Radiationsize2.9mm(L)×1.3mm(W)surfacemounttype. •Radiationcolor(Amber,Y-Green)	AUK AUK	AUK
SAM2333	文件：212.09 Kbytes Page：4 Pages	DualChipLED	AUK AUK	AUK
SI2333CDS	文件：104.3 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel12-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
Si2333CDS	文件：229.98 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel12-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2333CDS	文件：1.92492 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●VDS(V)=-12V ●ID=-5.1A(VGS=-4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2333CDS	文件：201.32 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel12V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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产品属性

产品编号：
KSC2333YTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 400V 2A TO220-3

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更多KSC2333YTU供应商更新时间2024-6-5 17:08:00

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