KSA1381中文资料PNP外延硅晶体管数据手册ONSEMI规格书

特性 Features

•高电压：VCEO= -300 V
•低反向传输电容：VCB = -30 V 时，Cre = 2.3 pF
•出色的增益线性度可实现低 THD
•高频率：150 MHz
•提供热 Spice 模型和电气 Spice 模型
•2SC3503/KSC3503 的补充器件

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSA1381属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KSA1381晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。