KSA1220A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
KSA1220A |
参数属性 | KSA1220A 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 160V 1.2A TO126 |
功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 16:54:00 |
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KSA1220A规格书详情
特性 Features
• 音频功率放大器和高频功率放大器应用
•KSC2690/KSC2690A的 补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSA1220A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSA1220A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:KSA1220A
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.7
- IC Cont. (A)
:1.2
- VCEO Min (V)
:160
- VCBO (V)
:160
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:1.3
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:160
- hFE Max
:320
- fT Min (MHz)
:175
- PTM Max (W)
:1.2
- Package Type
:TO-126-3
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