KSA1220中文资料PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
KSA1220 |
参数属性 | KSA1220 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 160V 1.2A TO126 |
功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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KSA1220规格书详情
描述 Description
Audio Frequency Power Amplifier
High Frequency Power Amplifier
• Complement to KSC2690/KSC2690A
简介
KSA1220属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSA1220晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
KSA1220AYS
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
700mV @ 200mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
160 @ 300mA,5V
- 频率 - 跃迁:
175MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP 160V 1.2A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG/三星 |
24+ |
NA/ |
1940 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
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TO126 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-126 |
100000 |
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FAIRCHILD |
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原装 |
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FAIRCHILD |
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SMD |
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1983 |
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