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MDF8N60B	文件：840.66 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.05(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF8N60BTH	文件：840.66 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.05(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF8N60BTH	文件：322.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF8N60TH	文件：751.99 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.0(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF8N60TH	文件：322.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP8N60	文件：997.99 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.0(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP8N60TH	文件：997.99 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.0(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP8N60TH	文件：332.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MS8N60	文件：411.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF8N60	文件：366.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	KPS8N60F	KEC	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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