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KMB6D0DN30QA

Dual N-Ch Trench MOSFET

GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications. FEATURES • VDSS=30V, ID=6A. • Drain-Source

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KEC

KEC(Korea Electronics)

KMB6D0DN30QA

Dual N-Ch Trench MOSFET

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KEC(Korea Electronics)

KMB6D0DN30QA_08

Dual N-Ch Trench MOSFET

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KEC(Korea Electronics)

KMB6D0DN30QA_15

Dual N-Ch Trench MOSFET

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KEC

KEC(Korea Electronics)

详细参数

  • 型号:

    KMB6D0DN30QA

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    Dual N-Ch Trench MOSFET

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更多KMB6D0DN30QA供应商 更新时间2025-10-5 15:01:00