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KMB6D0DN30QA中文资料KEC数据手册PDF规格书

KMB6D0DN30QA
厂商型号

KMB6D0DN30QA

功能描述

Dual N-Ch Trench MOSFET

文件大小

466.77 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 KEC CORPORATION
企业简称

KEC

中文名称

KEC株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-26 8:10:00

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KMB6D0DN30QA规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications.

FEATURES

• VDSS=30V, ID=6A.

• Drain-Source ON Resistance.

RDS(ON)=28m Ω (Max.) @VGS=10V

RDS(ON)=42m Ω (Max.) @VGS=4.5V

• Super High Dense Cell Design

• High Power and Current Handing Capability

产品属性

  • 型号:

    KMB6D0DN30QA

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    Dual N-Ch Trench MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
KEC
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