首页 >KF1N60I-U/HSMOS(场效应管)>规格书列表
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ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics. GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=0.5A •RDS(ON)=10Ω(Max)@VGS= | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | ||
N-ChannelPowerMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
N-ChannelMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
Excellentpackageforgoodheatdissipation. | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
600VN-ChannelMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
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600VN-ChannelMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
N-CHANNELMOSFET | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | LRC | ||
N-ChannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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