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KDB2670	文件：51.21 Kbytes Page：2 Pages	200V N-Channel PowerTrench MOSFET Features ● 19 A, 200 V. RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V ● Low gate charge (27 nC typical) ● Fast switching speed ● High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ● High power and current handling capability 文件：51.21 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
LM2670	文件：459.59 Kbytes Page：26 Pages	SIMPLE SWITCHER High Efficiency 3A Step-Down Voltage Regulator with Sync 文件：459.59 Kbytes 页数：26 Pages	NSC 国半	NSC
LM2670	文件：835.94 Kbytes Page：26 Pages	SIMPLE SWITCHER짰 High Efficiency 3A Step-Down Voltage Regulator with Sync 文件：835.94 Kbytes 页数：26 Pages	NSC 国半	NSC
LM2670	文件：2.34022 Mbytes Page：38 Pages	LM2670 SIMPLE SWITCHER짰 High Efficiency 3-A Step-Down Voltage Regulator With Sync 文件：2.34022 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI

型号：
KDB2670
制造商：
TYSEMI
制造商全称：
TY Semiconductor Co., Ltd
功能描述：
19 A, 200 V. RDS(ON) = 130 m VGS = 10 V Fast switching speed Low gate charge

更多KDB2670供应商更新时间2026-1-26 11:10:00