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MMDT3946	文件：216.94 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYNPN/PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Epitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=200mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives •TransitionFrequency>300MHzfT@IC=10mA,VCE=20V, f=100MHz	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMDT3946	文件：221.09 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •ComplementaryPairOne3904-TypeNPN One3906-TypePNP •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT3946	文件：181.41 Kbytes Page：5 Pages	SmallSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT3946	文件：808.23 Kbytes Page：5 Pages	SmallSurfaceMountTransistor FEATURES ●Complementarypair. ●One3904-TypeNPN. One3906-TypePNP. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-Smallsurfacemountpackage. ●Expitaxialplanardieconstruction. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT3946	文件：136.76 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT3946isacomplementaryNPN/PNPsmallsignalsurfacemounttransistor.It’ssuitableforlowpoweramplificationandswitch. FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction Extremely-SmallSurfaceMountPackage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT3946	文件：298.61 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNPNP) SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●ComplementaryPair ●One3904-TypeNPN One3906-TypePNP ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT3946	文件：368.48 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3946	文件：1.40657 Mbytes Page：4 Pages	NPNPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ComplementaryPair One3904-TypeNPN One3906-TypePNP EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT3946DV	文件：306.14 Kbytes Page：5 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNPNP) Features ComplementaryPair One3904-TypeNPN One3906-TypePNP EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMDT3946DW	文件：378.77 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementaryPair One3904-TypeNPN One3906-TypePNP EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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