直流脉宽调制电路

KC8801 与外围 PNP 晶体管可组成一个直流脉宽调制电路。当控制输入端 PIN2(IN)输入一个周期为 20ms，脉宽为 1.0-2.0ms 的可变脉冲时，对应的桥式 PWM 电路可输出一个正向-负向可逆的驱动电压。当输入脉宽为 1.5ms 时为零点，此时桥式电路的晶体管输出一个 2.5v 左右的对称电压，从而使负载上的平均电压为零。当输入脉冲宽度增大（减小）时，桥式电路的一侧（或另一侧）开始导通。导通时间与输入脉宽与零点（1.5ms）之差成正比。当脉宽为 2.0ms 时负载上的电压接近为+Vcc。而脉宽为 1.0ms 时，负载上电压接近－Vcc。当输入脉宽为零点值（1.5ms）时，如输 ▲静态电流较小，典型值为 4.3mA(当输出开路时)\r\n▲死区设定简单\r\n▲优越的电源与温度特性\r\n▲内置持续高电平保护电路\r\n▲容易与 CMOS 电路接口;

KCS

宽诚

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, re

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Polyfet

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE

General Description Silicon LDMOS transistor designed specifically for Broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular Base Staions, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Drivers and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, resulting in high Ft transistors w

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Polyfet

High Precision 6MHz, 600 mA Synchronous Step-Down DC-DC Converter for Mobile Applications

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NSC

国半