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L8801PR中文资料POLYFET数据手册PDF规格书

L8801PR
厂商型号

L8801PR

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE

文件大小

47.62 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Polyfet RF Devices
企业简称

POLYFET

中文名称

Polyfet RF Devices官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-6 20:00:00

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L8801PR规格书详情

General Description

Silicon LDMOS transistor designed specifically for Broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular Base Staions, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Drivers and others.

Polyfet process features low feedback and output capacitances, resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

13.0 Watts Single Ended

Package Style S08P

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE ROHS COMPLIANT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
25+
S08P
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