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MAX6008B	文件：228.93 Kbytes Page：8 Pages	1關ASOT23PrecisionShuntVoltageReference GeneralDescription TheMAX6006–MAX6009ultra-low-powershuntreferencesareidealforspace-criticalandlow-powerapplications.Theyareofferedin3-pinSOT23packages,andtheminimumoperatingcurrentisguaranteedtobe Features ●Ultra-LowOperatingCurrent:Guaranteed	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MX6008	文件：542.28 Kbytes Page：3 Pages	44G-portDin-RialLayer3GigabitManagedEthernetswitches	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
N6008NZ	文件：260.72 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET600V,8A,0.75Ω Description TheN6008NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=0.75ΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=2145pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±8.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NCE6008AS	文件：415.31 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6008AS	文件：1.08484 Mbytes Page：6 Pages	LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE6008AS	文件：996.32 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NIUSB-6008	文件：198.14 Kbytes Page：5 Pages	8analoginputsat12or14bits,upto48kS/s	NI National Instruments Inc.	NI
NTE6008	文件：20.66 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier,40A,200ns Description: TheNTE6006throughNTE6011arefastrecoverysiliconrectifiersinaDO5typepackagedesignedforspecialapplicationssuchasDCpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lowRFinterference,sonarpowersupplies,andfreewheelingdiodes.Acompletelin	NTE NTE Electronics	NTE
NX6008NBK	文件：278.72 Kbytes Page：14 Pages	60V,N-channelTrenchMOSFET description N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroStaticDischarge(ESD)	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX6008NBKS	文件：288.45 Kbytes Page：14 Pages	60V,dualN-channelTrenchMOSFET description DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroSta	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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