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MWCT2006SFVLLPT	文件：1.12915 Mbytes Page：65 Pages	Memoryandmemoryinterfaces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MWCT2006SFVMHPNR	文件：1.12915 Mbytes Page：65 Pages	Memoryandmemoryinterfaces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MWCT2006SFVMHPNT	文件：1.12915 Mbytes Page：65 Pages	Memoryandmemoryinterfaces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MWCT2006SFVMHPR	文件：1.12915 Mbytes Page：65 Pages	Memoryandmemoryinterfaces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MWCT2006SFVMHPT	文件：1.12915 Mbytes Page：65 Pages	Memoryandmemoryinterfaces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
NCE2006NE	文件：383.8 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2006NE	文件：513.47 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE2006Y	文件：318.65 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE2006Yusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=6A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NF2006A-UP	文件：61 Kbytes Page：2 Pages	Single-phase2-lineGeneral-purpose,Plastichousing	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NMA-2006	文件：180.46 Kbytes Page：1 Pages	NMA2000NOISESOURCESERIES	MICRONETICS Micronetics, Inc.	MICRONETICS

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现代芯城（深圳）科技有限公司	KBJ2006G		24+	N/A	54000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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