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K4H511638	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638B-G	文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638B-GC/LCC	文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638B-TC/LCC	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638B-UC/LCC	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638B-ZC/LCC	文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638C-UC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638C-UCCC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638C-ULCC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638C-Z	文件：391.14 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638C-ZCCC	文件：391.14 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638C-ZLCC	文件：391.14 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638D	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638D	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDRSDRAMProductGuide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638D	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638D-LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638D-UC/LCC	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638D-UC/LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638D-UCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H511638F	文件：542.54 Kbytes Page：15 Pages	ConsumerMemory SDRAMProductGuide MemoryDivision November2007	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	K4H511638D-UCB	SAMSUNG	2017+	TSOP	32568	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	K4H511638D-UCB	SAMSUNG	22+	TSOP	2789	原装优势!绝对公司现货!	询价
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更多K4H511638D-UCB供应商更新时间2024-4-30 17:01:00

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