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K4H511638D-UCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H511638	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H511638B-G	文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4H511638B-TC/LCC	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4H511638B-ZC/LCC	文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H511638C-UC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H511638C-UCCC	文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4H511638C-ZCCC	文件：391.14 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H511638C-ZLCC	文件：391.14 Kbytes Page：24 Pages	512MbC-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H511638D	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4H511638D	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDRSDRAMProductGuide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4H511638D-LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4H511638F	文件：542.54 Kbytes Page：15 Pages	ConsumerMemory SDRAMProductGuide MemoryDivision November2007	SamsungSamsung Group 三星三星半导体

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详细参数

型号：
K4H511638D-UCC
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free(RoHS compliant)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K4H511638D-UCC供应商更新时间2024-4-28 9:32:00

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