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K4H510838B-NC/LCC	文件：353.57 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification54sTSOP-II(400milx441mil)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H510838B-TC/LCC	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512MbB-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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K4H510838D	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H510838D	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDRSDRAMProductGuide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H510838D-LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H510838D-UC/LCC	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H510838D-UC/LCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H510838D-UCC	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4H510838F	文件：542.54 Kbytes Page：15 Pages	ConsumerMemory SDRAMProductGuide MemoryDivision November2007	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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更多K4H510838D-VCCC供应商更新时间2024-5-28 16:38:00

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