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K4H510438C-TCB0中文资料三星数据手册PDF规格书

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厂商型号

K4H510438C-TCB0

功能描述

128Mb DDR SDRAM

文件大小

669.27 Kbytes

页面数量

53

生产厂商

Samsung

中文名称

三星

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 14:09:00

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K4H510438C-TCB0规格书详情

特性 Features

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

• MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

• Data I/O transactions on both edges of data strobe

• Edge aligned data output, center aligned data input

• LDM,UDM/DM for write masking only

• Auto & Self refresh

• 15.6us refresh interval(4K/64ms refresh)

• Maximum burst refresh cycle : 8

• 66pin TSOP II package

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