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K3142	文件：300 bytes Page：1 Pages	2SK3142, K3142 / Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching * Low on-resistance RDS(on)=4mΩ typ.\n\n* Low drive current\n\n* 4V gate drive device can be driven from 5V source	HITACHI 日立	HITACHI
K310V	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	SINEDEVICE 宇宏微	SINEDEVICE

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技术参数

封装：
UMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363
JEITA Package：
SC-88
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
3
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
2.3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
2.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

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更多K31供应商更新时间2026-7-28 14:14:00

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