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SKW25N120	文件：329.74 Kbytes Page：13 Pages	丝印：K25N120；Package：PG-TO-247-3；Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：329.74 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
K25N120
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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