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K2057	文件：74.3 Kbytes Page：2 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type FieldEffectTransistor SiliconNChannelMOSType(π-MOSIV) HighSpeed,HighCurrentSwitchingApplications Features ●LowDrain-SourceONResistance -RDS(ON)=0.24Ω(Typ.) ●HighForwardTransferAmittnace -\|Yfs\|=15S(Typ.) ●LowLeakageCurrent -IDSS=-100μA(Max.)(VDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2057	文件：270.89 Kbytes Page：2 Pages	LightDuty2-ElectrodeMiniatureGasDischargeTube	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
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更多K2057供应商更新时间2024-5-15 15:30:00

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