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Field Effect Transistor
Silicon N Channel MOS Type (π-MOS IV)
High Speed, High Current Switching Applications
特性 Features
● Low Drain-Source ON Resistance
- RDS(ON) = 0.24Ω (Typ.)
● High Forward Transfer Amittnace
-|Yfs| = 15S (Typ.)
● Low Leakage Current
- IDSS = -100μA (Max.)(VDS = 500V)
● Enhancement-Mode
- Vth = 2.0 ~ 4.0V (VDS = -10V, ID = 1mA)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI |
05+ |
TO-251 |
5305 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
WESTCODE/西码 |
22+ |
MODULE |
4500 |
WESTCODE/西码模块系列在售 |
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FUJI |
1822+ |
TO-251 |
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TOSHIBA |
22+ |
TO-247 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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FUJI |
25+ |
SOT-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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WESTCODE |
23+ |
模块 |
900 |
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SHINDENGE |
ROHS |
56520 |
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hp |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
TOS |
24+ |
40000 |
询价 | ||||
WESTCODE |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
询价 |
