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K13A50D	文件：279.35 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Switching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：279.35 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK13A50D	文件：279.35 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K13A50D；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Switching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：279.35 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK13A50D	文件：191.03 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：191.03 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK13A50D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK13A50D	文件：279.35 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Switching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：279.35 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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