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K13A50D中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

K13A50D

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

文件大小

279.35 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

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数据手册

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更新时间

2025-12-5 23:01:00

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K13A50D规格书详情

Switching Regulator Applications

Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.)

High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.5 S (typ.)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V)

Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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