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K13A60D	文件：190.26 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications Power MOSFET (N-ch 500V • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.33 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 6.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 600 V) • Enhancement mode: Vth= 2.0 to 文件：190.26 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK13A60D	文件：190.26 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K13A60D；Package：SC-67；Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications Power MOSFET (N-ch 500V • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.33 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 6.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 600 V) • Enhancement mode: Vth= 2.0 to 文件：190.26 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK13A60D	文件：190.26 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications Power MOSFET (N-ch 500V • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.33 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 6.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 600 V) • Enhancement mode: Vth= 2.0 to 文件：190.26 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK13A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK13A60D	文件：342.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：342.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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