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MTP50N06VL	文件：1.13263 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
NTD50N06	文件：989.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
OM50N06SA	文件：215.37 Kbytes Page：6 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechargesimplerdr	IRF International Rectifier	IRF
OM50N06ST	文件：215.37 Kbytes Page：6 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechargesimplerdr	IRF International Rectifier	IRF
P50N06	文件：201 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.022Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATION	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
P50N06	文件：979.18 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P50N06C	文件：1.12852 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
P50N06C	文件：1.482 Mbytes Page：7 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
P50N06PA	文件：980.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB50N06	文件：69.19 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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