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PHB50N06	文件：55.73 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP50N06LTissup	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PHB50N06

文件：55.73 Kbytes

Page：8 Pages

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP50N06LTissup

PhilipsPhilips Semiconductors

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更多JCS50N06VH供应商更新时间2025-7-14 14:05:00

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