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KF13N50F	文件：905.27 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50P	文件：402.48 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50P	文件：905.27 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50P	文件：81.72 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50P	文件：1.0334 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF13N50P/F	文件：402.48 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50PF	文件：402.48 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50PSLASHF	文件：402.48 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM13N50	文件：695.31 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM13N50C	文件：2.15784 Mbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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