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JANTXV2N4239	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Amplifier 40V to 80V, 1A This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, amplifier, 2N4237, 2N4238 and 2N4239 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/581. The device package outline is TO-205AD (formerly TO-39).;	Microchip 微芯科技	Microchip
JANTXV2N4239	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A TO39	Microchip 微芯科技	Microchip
2N4239	文件：56.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/581 文件：56.87 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N4239	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N4239	文件：55.52 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：55.52 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central

产品属性

产品编号：
JANTXV2N4239
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/581
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 250mA，1V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO39

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